AZ GXR-601 (14 cp) — Positive 포토레지스트(Photoresist)

개요

AZ GXR-601 (14 cp)는 반도체/마이크로패브리케이션 공정에서 사용되는 Positive 포토레지스트로, 스핀코팅 후 노광·현상 공정을 통해 패턴을 형성하는 감광 재료입니다. (※ “14 cp”는 점도(centipoise)를 의미하며, 상대적으로 묽은 조성으로 얇은 막 형성에 유리합니다.)

1) 제품 기본 정보

제품명	AZ GXR-601 (14 cp)
제품 타입	포토레지스트 (Positive)
점도 (Viscosity)	약 14 cp
대표 용도	포토리소그래피 공정의 패턴 형성 (반도체/MEMS/마이크로패턴)
필름 두께(참고)	스핀 조건에 따라 약 0.8–1.5 μm 범위에서 제어되는 사례가 보고됨
현상액(일반)	AZ 300 MIF 계열 (공정 표준에 따라 상이)
포장 단위(사례)	1 gal(약 3.78 L) 등 대용량 단위 유통 사례 존재
보관/유효기간	제조사 권장조건 준수(온도/광/습도 민감). SDS/기술문서 기준 확인 필요
가용 문서	일반적으로 SDS, COA/Spec(공급처에 따라 상이)

* 필름 두께/공정 조건은 장비, 클린룸 환경, 베이크/노광/현상 조건에 따라 달라질 수 있습니다.

2) 특징

• Positive PR: 노광된 영역이 현상 시 용해되어 제거되는 타입으로, 일반적인 패터닝 공정에 널리 사용됩니다.
• 얇은 필름 제어: 14 cp 점도 조성은 비교적 얇은 막 형성 목적에 사용되며, 스핀 속도/시간 조건으로 두께 제어가 가능합니다.
• 적용 범위: 반도체 웨이퍼 패턴, MEMS/마이크로구조 제작 등 다양한 리소그래피 공정에서 활용됩니다.

3) 공정 조건(예시)

아래는 참고용 예시입니다. 실제 공정은 장비/레시피에 맞게 최적화가 필요합니다.

 

• Spin Coating: 목표 두께에 따라 RPM/시간 조정
• Soft Bake: 예) 90 ℃, 60 sec
• Exposure: I-line(365 nm) 등 공정 장비 조건 적용
• PEB(Post Exposure Bake):

 

 

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