실리콘 웨이퍼(Silicon Wafer, Si, CAS 7440-21-3) 사양 비교 및 해외 소싱·원가 절감 가이드
안녕하세요, 주식회사 후사이언티픽입니다. 실리콘 웨이퍼(Silicon Wafer)에 대해 정리된 기술 자료를 안내드립니다.
본 포스팅은 특정 브랜드 홍보가 아닌, 연구/공정 검토 관점에서 결정방향(<100>, <111>), 도핑 타입(P-type, N-type), 직경·두께, 표면 연마(SSP) 등 핵심 사양을 구조적으로 정리하고, 추가로 해외 소싱(Overseas sourcing) 및 원가 절감(Cost reduction)을 위해 구매/품질팀이 확인해야 할 포인트를 기술적으로 정리한 자료입니다.
1. 제품 기본 정보 (CAS번호 포함)
- 물질명: Silicon (실리콘)
- Linear Formula: Si
- CAS No.: 7440-21-3
- EC No.: 231-130-8
- Molecular Weight: 28.09
- 형태: 단결정 실리콘 웨이퍼(wafer, single-side polished 등)
- 의료기기, 화장품, 화학류, 식품 제조에 필요한 화학 케미칼 원료 기업
- 바이오, 2차전지, 신약, 표준물질 등 기업 부설 연구소
- 서울대, KAIST, 성균관대, 경희대, 아주대, 경기대, 한국기술교육대 등 국내 유수의 대학교 연구실
화학, 케미칼, 실험시약, 제조원료, 표준물질, 연구실 소모품이 필요한 기업 및 연구실에
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국내 제조사 제품 1-2일!
해외 제조사 관련 제품 3-5일!
2. 용도 및 사용 제한 사항
대표 용도
- 반도체 공정 R&D(산화/확산/포토/식각/증착 공정 평가용 기판)
- MEMS/센서 구조 제작(이방성 식각 기반 마이크로 구조, 표면처리/코팅 평가)
- 박막/코팅 연구(박막 응력, 균일도, 접착력, 표면 거칠기 영향 평가)
- 태양전지/탠덤 구조 연구(실리콘 기판 기반 광학·계면 평가)
사용 제한/주의
- 도핑/저항(Resistivity) 요구조건이 있는 공정에서는 “무도핑 표기”만으로는 부족하며, 저항 범위 및 타입 확인이 필수입니다.
- 결정방향 선택이 식각 프로파일/표면 에너지/계면 특성에 영향을 주므로, 공정 목적에 따른 방향 선택이 필요합니다.
- 표면 연마 등급(SSP/DSP), 파티클 관리, 세정/포장 등급이 공정 수율에 직접 영향을 줄 수 있어, 클린 수준 요구가 있는 경우 문서(Spec/CoA) 확인이 필요합니다.
3. 물리화학적 특성
- 결정 구조: Diamond cubic(실리콘 단결정 기반)
- 밀도(25°C): 약 2.33 g/mL
- 융점: 약 1410~1414°C 수준
- 비점: 약 2355°C 수준(문헌/제조사 표기 차이 가능)
- 전기적 특성: 반도체(도핑 종류·농도에 따라 저항/캐리어 특성 변화)
- 열적 특성: 공정 열처리에서 열충격/뒤틀림(wafer bow/warp) 관리가 품질 이슈가 될 수 있음
4. 대표적인 산업 응용 분야
- 반도체: 공정 조건 스크리닝(산화막 성장, 식각 선택비, 박막 증착 균일도)
- MEMS/센서: KOH/TMAH 등 이방성 식각 기반 구조 제작, 표면 기능화/바이오센서 코팅 평가
- 박막 소재: ALD/CVD/PVD 박막 기판으로 사용, 계면 결함/거칠기 영향 분석
- 태양전지: 실리콘 기반 탠덤 구조(페로브스카이트/실리콘 등) 연구에서 기판/계면 평가용
5. 보관, 취급 및 구매 시 주의사항
보관
- 원포장 유지, 건조 조건 권장(습기/오염에 의한 표면 변화 최소화)
- 장기간 보관 시 파티클/유기오염 관리가 중요(클린백/캐리어 사용 권장)
취급
- 표면 스크래치/엣지 칩핑(Edge chipping) 방지를 위해 전용 핀셋/진공 픽업 사용 권장
- 표면 오염은 박막 접착/식각 균일도에 영향 → 공정 전 세정 프로토콜(예: IPA/DI rinse, 필요 시 RCA 등) 검토
6.구매 문의처
회사명: 후사이언티픽
연락처: 031-831-3826
이메일: hooscientific@naver.com
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